三星电子预计2009年推出容量最高达16GB，采用50纳米制程生产的DDR3内存模组产品。
目前三星可以出样的DDR3内存芯片颗粒已经在采用50纳米制程，容量2G bit，单位存储密度是当前1G bit规格芯片的两倍，能耗降低40%，三星表示2G bit规格的DDR3内存芯片颗粒可增加60%的营收。
三星新内存颗粒可以制造最大容量8GB的RIMM，或者4GB的SODIMM，如果采用双核心封装的话，最大可制造16GB容量的台机或者
服务器内存。
三星2G bit DDR3内存颗粒峰值带宽1.3Gbps，电压1.5v，或者1.35v，预计2009年开始量产，预计进入主流消费市场要到明年年中，8GB DDR3规格内存模组到时候仍然不会成为主流，因为其售价仍然会超过1000美元。
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